《科创板日报》13日讯，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

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NAND Flash是Flash存储器中最重要的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC(三层存储单元)以及QLC(四层存储单元)。其中TLC闪存的优势是容量大，成本低，且相比QLC寿命更长，随着3DNAND技术发展，进一步解决寿命问题，其应用越来越多。

在NAND Flash颗粒原厂中，主要的厂家为三星、铠侠、西数、美光等。与DRAM市场格局一样，三星同样处于领先地位，市占率为34%，但NAND Flash市场集中度稍微低于DRAM市场。铠侠与西数的合资工厂产能共用，若将其收入合并计算，其市占率与三星伯仲相当。国产厂商长江存储处于起步状态，正在市场与技术上奋起直追。

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