涂胶和显影是光刻前后的重要步骤，设备以不同工艺所用的光刻胶、关键尺寸等方面的差异来分类。

光刻涂胶工艺

无论在晶圆制造前道工艺还是封装测试后道工艺，都需要涂胶显影设备。半导体设备按半导体加工过程主要分为前道工艺（Front-End，即晶圆制造）设备和后道工艺（Back-End，即封装测试）设备两大类。涂胶/显影机在前道工艺中是光刻工艺重要环节的设备，在后道工艺中主要应用封装技术的涂胶、显影等工序。后道先进封装使用晶体管的前道制造方式，制作后道连接电路，故先进封装的工艺流程与前道相似，所需设备类别也大体相同，只在关键尺寸与精度上同前道有区别，使用圆片级封装时，涂胶显影设备所需尺寸与前道相同，主要为8/12寸涂胶显影设备。

涂胶和显影是光刻前后的重要步骤，设备以不同工艺所用的光刻胶、关键尺寸等方面的差异来分类。

光刻胶是半导体，面板，PCB等领域加工制造中的关键材料。光刻胶是由树脂，感光剂，溶剂，光引发剂等组成的混合液态感光材料。光刻胶应用的原理是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形转移到加工衬底上，来达到在晶圆上刻蚀出所需的图形或抗离子注入的目的。
从光刻胶的发展历程看，从20世纪50年代至今，光刻技术经历了紫外全谱（300-340nm），G线（436nm），I线（365nm），深紫外（DeepUltraviolet，DUV，248nm和193nm），以及目前最引人注目的极紫外（EUV，13.5nm）光刻等阶段，相应地，各曝光波长的光刻胶组分（成膜树脂、感光剂和添加剂等）也随之变化。

根据反应机理和显影原理，可以将光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶形成的图形与掩膜版（光罩）相同，负性光刻胶显影时形成的图形与掩膜版相反。根据感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型，光分解型和光交联型。根据应用领域，光刻胶可以分为PCB光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶。

光刻胶市场规模

全球及中国光刻胶市场增长迅速，发展空间广阔。据Reportlinker统计，2019年全球光刻胶市场规模为82亿美元，预计到2026年全球光刻胶市场规模将增至123亿美元，2019-2026年CAGR为6%。
日本厂商在半导体光刻胶领域占据绝对主导地位。从整体市场来看，日本企业在光刻胶市场占据七成以上份额，其中JSR株式会社实现了光刻胶产品全覆盖，是全球光刻胶龙头厂商。其他主要厂商包括日本的东京应化、富士电子、信越化学和住友化学，美国的陶氏化学和韩国的东进世美肯等。
照所处工艺环节的不同，可分为前道涂胶显影设备和后道涂胶显影设备，根据VLSI数据，全球前道涂胶显影设备市场规模2020年为19.06亿美元，预计到2023年将上升至24.76亿美元；全球后道涂胶显影设备市场规模相对较小，2020年为0.81亿美元，预计到2023年将上升至1.08亿美元。全球涂胶显影设备以前道为主，2020年前道涂胶显影设备市场规模占比95.9%。

数据来源：行行查，行业研究数据库 www.hanghangcha.com
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