投资50亿元，建设用地约1000亩的中国电科（山西）电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。据人民网报道，该项目计划用5年时间，建成“一中心三基地”，即：中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）三代半导体技术创新中心、中国电科（山西）光伏新能源产业基地。项目达产后，预计形成产值100亿元。

通过吸引上游企业，形成产业聚集效应，打造电子装备制造、三代半导体产业生态链，建成国内最大的碳化硅材料供应基地，积极推动山西经济的转型升级。

行行查，行业研究数据库： www.hanghangcha.com

碳化硅和氮化镓是下一代功率半导体的核心技术方向。碳化硅器件的效率、功率密度等性能远远高于当前市场主流产品。碳化硅相对硅器件的优势：相比硅基器件，碳化硅器件具备高耐压、低损耗、高效率的特点,是理想的功率管理元件；工作频率高：硅基IGBT一般工作在20Khz的频率，而碳化硅基MOSFET在100Khz频率下依然能够保持高效率的运转；耐受温度高：碳化硅基器件能够耐受更高的工作温度，硅基IGBT最多在150-200度工作，而碳化硅基MOSFET在200-250度依然能够正常工作；效率高：碳化硅器件的开关损耗及导通损耗大幅降低。一般开关损耗是硅器件的15-30%，大幅提升能源的利用效率。总结起来，碳化硅最核心的优势有两方面，一是开关损耗小、导通损耗小，因而能源利用效率远远高于硅器件，损耗仅仅为同等硅器件的15 %-30%；二是模块尺寸小。由于碳化硅芯片能工作在更高的频率，与之配套的外围电容电感尺寸大幅缩小，碳化硅模块的尺寸往往仅仅为硅器件模块的1/5。

目前碳化硅器件主要用于600伏及以上的应用领域，特别是一些对能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车充电装置、电动汽车动力总成、光伏微型逆变器领域等应用。

根据法国知名电子供应链市场研究机构Yole数据，预计到2020年全球SiC应用市场规模将达到5亿美元，而到2022年市场规模将会进一步达到10亿美元，其中2016-20年的复合增速为28%，同时随着下游电动车产业驱动，2020-22年的复合增速将达到40%。

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