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PVD、CVD、ALD工艺特性比较
2020-11-09
先进制造 | 技术变革
薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，薄膜沉积工艺主要有PVD、CVD、ALD气相沉积工艺：PVD（物理气相沉积）：在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。CVD（化学气相沉积）：主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。ALD（原子层沉积）：可以理解为一种变相的CVD工艺，通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应形成沉积膜的一种方法。
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