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你知道典型CVD工艺流程是怎样的呢?
2022-09-03
先进制造 | 行业数据
4)45nm以后，高介电材料（Highk）和金属栅（MetalGate），引入原子层沉积（ALD）设备，膜层达到纳米级别。——（a）高介电材料（Highk）替代SiO2，用于制备MOS器件的栅介质层，需要引入ALD。（b）多晶硅同步地被替代为金属栅（MatalGate）电极，也用ALD设备制备。
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