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如何才能知道ALD应用一览确切的情况?

2023-03-22 先进制造 | 行业数据

以外的沉积较少，停工清洗时间更短。主要用于制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜等。与LPCVD相比，PECVD的热预算更低，膜应力也有明显改善。HDPCVD的优点在于低热预算（300-400℃）下高深宽比间隙的填充，被用在制作ILD,ILD-1，STI，刻蚀终止层以及低K介质的淀积。应用等离子体的CVD技术已成为CVD乃至薄膜沉积的主流。据Gartner统计2020年全球等离子体CVD设备市场空间达47亿美元，远超其他类别的沉积设备。应用材料、泛林半导体的此类设备市占率分别为49%和34%，设备种类更全，在薄膜材料和淀积指标上处在领先地位。著，电子工业出版社出版），广发证券发展研究中心炳卿等），广发证券发展研究中心原子层沉积(ALD)：原子层沉积以基本的CVD方法为基础，使用脉冲调制技术，用清除气体将每种反应剂分离，在先进晶体管、存储器件和互连应用中制造各类氧化物、金属氮化物和金属物超薄薄膜层，每次沉积单层厚度的几分之一。其特点为原子层的自限性和共形沉积。根据反应控制方法不同，ALD分为空间交替方法和时间交替方法，前者通过移动晶圆使其暴露于不同的前驱体，后者保持晶圆不动而交替地将前体引入/移除到腔室。ALD最大优点是薄膜厚度均匀性，在高深宽比(>100:1)空隙和3D结构的顶部、侧面和底部可以获得相同的膜厚度，缺点是沉积速度慢，约1A/min。ALD应用包括高k栅介质、扩散阻挡层和存储器结构的电极薄膜层等。

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