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如何了解SiC的物理特性使其能够有效推动系统小型化具体情况如何?
2023-08-03
信息科技 | 行业数据
SiC：“第三代半导体材料”，渗透率有望快速提升。作为宽禁带材料，我们认为SiC主要有两大核心优势：1）更低的损耗：根据ROHM预测，SiCMOSFET相比SiIGBT整体损耗将降低73%。2）系统简单化、轻量化：一方面，由于SiC材料具备更高的功率密度，所以同等功率下，SiC器件的体积可以缩小至1/2甚至更低；另一方面，SiC材料具备更好的热导性（3倍于Si），故可以有效减少散热系统的体积，同时由于SiC的高频特性，SiC的应用能够显著减少电容、电感等被动元件的应用，简化周边电路设计。
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