高密度封装:特征是将不同功能的芯片或结构,通过堆叠和穿孔技术,使其在Z轴方向上形成三维集成和信号连通,典型技术包括3D堆叠、TSV(ThroughSiliconVia),优点是通过在三维方向的堆叠,在SMT和面积阵列封装基础上进一步提升了封装密度,且大大改善了信号传输速度、降低了功耗,同时封装后元件尺寸较小,缺点是技术开发难度大,堆叠、穿孔等关键技术的成熟度和丰富度仍待提升。
高密度封装:特征是将不同功能的芯片或结构,通过堆叠和穿孔技术,使其在Z轴方向上形成三维集成和信号连通,典型技术包括3D堆叠、TSV(ThroughSiliconVia),优点是通过在三维方向的堆叠,在SMT和面积阵列封装基础上进一步提升了封装密度,且大大改善了信号传输速度、降低了功耗,同时封装后元件尺寸较小,缺点是技术开发难度大,堆叠、穿孔等关键技术的成熟度和丰富度仍待提升。