想请教下各位局部浸没法示意图相关的信息?
2021-10-11   先进制造 | 技术变革
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此外双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展也在不断提升第四代光刻机的工艺制程水平,以及生产效率。2001年ASML推出了双工作台系统(图5),将测量、对准与光刻流程相分离,实现曝光与预对准同时进行,大幅提高了生产效率。而浸没式光刻工艺更成为ASML强势崛起的转折点。与传统光刻技术相比,浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜下表面与硅片光刻胶之间充满高折射率的液体,以提高分辨率;目前主要有三种液体浸没方法:硅片浸没法,工作台浸没法,局部浸没法,业界多采用局部浸没法。

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此外双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展也在不断提升第四代光刻机的工艺制程水平,以及生产效率。2001年ASML推出了双工作台系统(图5),将测量、对准与光刻流程相分离,实现曝光与预对准同时进行,大幅提高了生产效率。而浸没式光刻工艺更成为ASML强势崛起的转折点。与传统光刻技术相比,浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜下表面与硅片光刻胶之间充满高折射率的液体,以提高分辨率;目前主要有三种液体浸没方法:硅片浸没法,工作台浸没法,局部浸没法,业界多采用局部浸没法。

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