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谁知道45nm制程下一代光刻技术两种路线具体情况?

2021-10-11 先进制造 | 行业数据

此外双工作台、沉浸式光刻等新型光刻技术的创新与发展也在不断提升第四代光刻机的工艺制程水平，以及生产效率。2001年ASML推出了双工作台系统（图5），将测量、对准与光刻流程相分离，实现曝光与预对准同时进行，大幅提高了生产效率。而浸没式光刻工艺更成为ASML强势崛起的转折点。与传统光刻技术相比，浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜下表面与硅片光刻胶之间充满高折射率的液体，以提高分辨率；目前主要有三种液体浸没方法：硅片浸没法，工作台浸没法，局部浸没法，业界多采用局部浸没法。尼康、佳能由盛转衰，ASML强势崛起。在45nm制程下ArF光刻机遇到了分辨率不足的问题，业内对下一代光刻机的发展提出了两种路线。一是开发波长更低的157nmF2准分子激光做为光源，二是林本坚（台积电研发副总经理）提出的浸没式光刻。2002年以前，业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术，但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。在时代的十字路口上，TSMC提出了193nm浸入式光刻的概念，尼康、佳能则倒向了开发波长更低的光源；随着ASML与台积电合作开发，于2007年成功推出第一台浸没式光刻机。193nm光波在水中的等效波长缩短为134nm，足可超越157nm的极限，193nm浸入式光刻的研究随即成为光刻界追逐的焦点。到2010年，193nm液浸式光刻系统已能实现32nm制程产品，并在20nm以下节点发挥重要作用，浸没式光刻技术凭借展现出巨大优势，成为EUV之前能力最强且最成熟的技术。

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