该结构以聚合物为载流子传输层,是最早的QLED器件结构,其典型的器件结构是将包含CdSe纯核量子点和聚合物双层或二者的混合物,包夹于两电极间。该结构由于使用了低量子产率的纯核CdSe,且存在明显的聚合物内寄生的电致发光,所以器件具有较低的外量子效率(EOE)和较小的最大亮度。
该结构以聚合物为载流子传输层,是最早的QLED器件结构,其典型的器件结构是将包含CdSe纯核量子点和聚合物双层或二者的混合物,包夹于两电极间。该结构由于使用了低量子产率的纯核CdSe,且存在明显的聚合物内寄生的电致发光,所以器件具有较低的外量子效率(EOE)和较小的最大亮度。